技術(shù)編號(hào):6936495
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及在處理室中進(jìn)行工藝終點(diǎn)檢測(cè)的方法 和裝置,所述處理室包括但不限于半導(dǎo)體處理室。具體地,本發(fā)明的一個(gè) 或多個(gè)實(shí)施例涉及在半導(dǎo)體處理室中對(duì)清洗工藝進(jìn)行工藝終點(diǎn)檢測(cè)的方法 和裝置。背景技術(shù)如公知的,處理室(例如,但不限于,用來(lái)沉積半導(dǎo)體膜的處理室和 用來(lái)蝕刻半導(dǎo)體膜的處理室)需要定期清洗,以去除每次在其中處理晶片 或襯底而形成的殘余物(例如,這些處理室可以在處理完一個(gè)或多個(gè)晶片 之后進(jìn)行清洗)。為清洗處理室,需要進(jìn)行一段時(shí)間("清洗時(shí)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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