技術(shù)編號(hào)：6937826
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)圖3是傳統(tǒng)齊納二極管的示意圖，陽極區(qū)和陰極區(qū)組成PN，PN結(jié)相鄰的陰極區(qū)與 陽極區(qū)的雜質(zhì)濃度決定了齊納二極管的擊穿電壓。由于陰極區(qū)采用的是擴(kuò)散和注入的方 式形成的結(jié)面，陰極結(jié)容易在靠近底部形成弧面，由于陰極結(jié)的弧面AB兩處的曲率半徑較 小，擊穿容易發(fā)生在AB兩處，影響了擊穿電壓的穩(wěn)定性。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，有必要針對(duì)上述齊納二極管的擊穿電壓不穩(wěn)定的問題提供一種擊穿電 壓較穩(wěn)定的齊納二極管。此外，還有必要提供一種擊穿電壓較穩(wěn)定的齊納二極...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。