技術(shù)編號(hào)：6938880
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種解決半導(dǎo)體器件在制作過程中放電缺 陷的方法及結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在集成電路的制造過程中，包括前段制造工藝和后段制造工藝。其中，前段制造工 藝包括在半導(dǎo)體器件襯底上形成源漏極和柵極，稱為形成半導(dǎo)體器件層；后段工藝包括在 半導(dǎo)體器件層上形成金屬互連層等后續(xù)工藝。在后段工藝中，需要對半導(dǎo)體器件進(jìn)行金屬化，金屬化是半導(dǎo)體器件制造過程中 在介質(zhì)層上沉積金屬薄膜及隨后刻印圖形以便形成互連金屬線和半導(dǎo)體器件的金屬層過 程。最后，在次頂層金...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。