技術(shù)編號(hào)：6938881
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種減少高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)工藝中的等離子體誘發(fā)損傷的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度的不斷提高，半導(dǎo)體 襯底的單位面積上有源器件的密度越來越高，各有源器件之間的距離也越來越小，從而使 得半導(dǎo)體器件的特征尺寸顯著減小。在現(xiàn)有的65納米甚至更小工藝尺寸的半導(dǎo)體制造工 藝中，半導(dǎo)體器件之間的縫隙的深寬比(即縫隙深度與縫隙寬度之比)已經(jīng)達(dá)到了4 1 甚至更高，從而對絕...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。