技術(shù)編號(hào):6939421
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種使用相變化存儲(chǔ)材料的高密度存儲(chǔ)裝置及其制造方法,其中, 相變化存儲(chǔ)材料可包括硫?qū)倩锊牧霞捌渌删幊屉娮璨牧稀1尘凹夹g(shù)相變化存儲(chǔ)材料,如硫?qū)倩锊牧霞捌渌愃撇牧希谑┘訌?qiáng)度適用于集成電路 的電流時(shí),可于非晶態(tài)與晶態(tài)之間進(jìn)行相變化。大致非晶態(tài)的電阻較大致晶態(tài)來(lái)得高,而此 特性正可用于數(shù)據(jù)的表示。由于具備此種特性,業(yè)界致力研究如何將可編程電阻材料應(yīng)用 于可隨機(jī)讀寫存取的非易失性存儲(chǔ)電路。由非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)大致上屬于低電流操作,而由晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉?..
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。