技術(shù)編號(hào)：6939571
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種材料制備過程中的化學(xué)清洗方法，具體是一種清洗鈍化Ge襯底 表面的 方法。背景技術(shù)隨著集成電路集成度的不斷提高，硅基半導(dǎo)體集成電路中金屬_氧化物_半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETs)器件特征尺寸即將達(dá)到納米尺度。新材料和新型器件結(jié)構(gòu)的應(yīng)用已經(jīng) 成為半導(dǎo)體微納電子技術(shù)可持續(xù)發(fā)展最主要的解決方案和必須突破的技術(shù)瓶頸。當(dāng)硅基 MOSFET尺寸縮小到0. Ium以下時(shí)，采用傳統(tǒng)的SiO2作為柵氧化層介質(zhì)，電子的直接隧穿效 應(yīng)和柵介質(zhì)層所承受的電場(chǎng)將變得很...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。