技術(shù)編號：6939749
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制集成電路工藝方法，尤其是涉及一種DDDMOS器件的制造方法。背景技術(shù)DDDMOS (Double Diffused Drain M0SFET)器件即為雙擴散漏高壓 MOSFET 器件的 簡稱，是一種常用的橫向高壓MOS器件。如圖1所示，為現(xiàn)有N型DDDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意 圖，包括在一襯底上形成有一 N型埋層，在所述N型埋層上形成有一 N型外延層；在所述N 型外延層中形成一P阱，以該P阱作為器件的溝道區(qū)；在所述溝道區(qū)中形成一N+的源區(qū)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。