技術(shù)編號：6939775
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種溝槽PMOS的制備方法，具體涉及一種具垂直溝槽的溝槽型MOS器 件的制備方法。背景技術(shù)在現(xiàn)有溝槽MOSFET器件中(見圖1)，溝槽型PMOS的制備多將溝槽側(cè)壁設(shè)計(jì)為 (100)面。因溝槽側(cè)壁為(110)面的溝槽PMOS的器件柵氧與側(cè)壁的界面態(tài)密度遠(yuǎn)比側(cè)壁 為(100)面的高，使得閾值電壓較高，無法滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。因此，業(yè)界普遍只用設(shè)計(jì) 溝槽側(cè)壁為(100)面的溝槽PMOS的制備。但是，PMOS中多數(shù)載流子空穴沿(110)晶面的 遷移率遠(yuǎn)高...
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