技術(shù)編號(hào)：6941374
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1前序部分的半導(dǎo)體系統(tǒng)，特別是功率半導(dǎo)體系統(tǒng)。背景技術(shù)從US 6，624，216公知如下的半導(dǎo)體系統(tǒng)。在該公知的半導(dǎo)體系統(tǒng)中，在半導(dǎo)體的 設(shè)有觸點(diǎn)的上側(cè)與由箔片復(fù)合體形成的電連接裝置之間的底填充物(UnterfUllimg)由環(huán) 氧樹脂組成。尤其是在功率半導(dǎo)體系統(tǒng)中，在運(yùn)行中出現(xiàn)相對(duì)高的溫度。已知的用來(lái)進(jìn)行底填充的環(huán)氧樹脂必須大多在_40°C的溫度下保存在冷凍狀態(tài) 下。在實(shí)踐中，可以將材料最多解凍三次。否則環(huán)氧樹脂的性質(zhì)改變，特別...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。