技術編號：6941619
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及氮化物半導體發(fā)光元件及其制造方法，具體地涉及可以改善制造產率 和可靠性的氮化物半導體發(fā)光元件及其制造方法。背景技術一種由組成化學式例如 InaGabAlcN(其中 a+b+c = 1,0 ^ a < 1,0 < b ^ 1,0 ^ c < 1)表示的氮化物半導體具有大的帶隙和高熱穩(wěn)定性。對于氮化物半導體，甚至可以通過 調整其組成而控制帶隙。因而，期望氮化物半導體作為可應用于氮化物半導體發(fā)光元件的 材料，半導體發(fā)光元件例如發(fā)光二極...
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