技術(shù)編號:6941802
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備,特別是涉及基于ZnO基材料的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù)GaN系材料在固態(tài)照明領(lǐng)域有更廣泛的應(yīng)用前景。ZnO和GaN的能帶間隙和晶格常數(shù)十分接近,有相近光電特性。但是,與GaN相比,ZnO具有更高的熔點和激子束縛能、激子增益更高、外延生長溫度低、成本低、容易刻蝕而使對外延片的后道加工更容易,使器件的制備更方便等等。因此,ZnO基發(fā)光管、激光器等研制成功有可能取代或部分取代GaN基光電器件,會有更大的應(yīng)用前景,特別是Z...
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