技術(shù)編號(hào)：6942083
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，屬紅外探測(cè)器制造。背景技術(shù)在非晶碲鎘汞紅外探測(cè)器制備的現(xiàn)有工藝中，生長在非晶碲鎘汞上的鈍化膜(主要為ais)容易出現(xiàn)龜裂甚至剝落的現(xiàn)象；此外，非晶碲鎘汞光敏元的上電極也容易發(fā)生大量脫落的現(xiàn)象，這些問題的發(fā)生導(dǎo)致非晶碲鎘汞紅外探測(cè)器的成品率大大降低，產(chǎn)生這些問題的主要原因是鈍化膜和非晶碲鎘汞光敏元之間以及上電極和非晶碲鎘汞光敏元之間的附著力差。改善光敏元與其后續(xù)沉積薄膜之間的附著性能成為非晶碲鎘汞紅外探測(cè)器制備工藝中的關(guān)鍵技術(shù)之一。提高膜層間的附...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。