技術(shù)編號：6942097
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，一種將在作為掩模使用的層所形成的開口部的寬 度縮小的。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的加工的精細(xì)化，提案有很多用于縮小在等離子體蝕刻時使用的 掩模層上所形成的開口部的寬度的技術(shù)。例如，作為如圖10(A)所示的、將在作為基板的晶 片上所形成的上部光致抗蝕劑層100的開口部101的寬度縮小的方法(縮小(shrink)方 法)，由于CH4氣體的等離子體使含有碳和氫氣的堆積物大量地產(chǎn)生，所以提案利用含有CH4 氣體的處理氣體的方法。具體而言，由CH4 (甲...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。