技術(shù)編號：6942239
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種二極管以及電阻轉(zhuǎn)換存儲器的制造方法，屬于半導(dǎo)體存儲器領(lǐng) 域。背景技術(shù)當(dāng)代數(shù)據(jù)量隨著信息化的進(jìn)一步深入經(jīng)歷了爆發(fā)式的增長，而且還在不斷地發(fā)展 中，由此，存儲器的容量越來越大，即便如此，還很難滿足實際應(yīng)用的需求。在半導(dǎo)體存儲器 的應(yīng)用中，隨著摩爾定律的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器的容量不斷地提升，并且新型的存儲器也是 層出不窮，與此同時三維立體堆疊因為其在高密度上的巨大優(yōu)勢成為了下一代存儲器發(fā)展 的重要方向。目前來說，三維立體堆疊的存儲器的成本有待降低，當(dāng)...
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