技術(shù)編號(hào)：6942339
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及的是一種高電壓試驗(yàn)的制備方法，具體涉及一種。背景技術(shù)高壓硅堆是高電壓試驗(yàn)設(shè)備的充電回路和直流高電壓發(fā)生器中的關(guān)鍵整流元件。 長期以來硅堆內(nèi)部的均壓問題一直倍受關(guān)注。因?yàn)殡妷悍植疾痪?，硅堆串中承?dān)反向電壓 最高的硅整流管有可能首先擊穿，從而導(dǎo)致發(fā)生一系列擊穿，致使硅堆完全損壞。所以電壓 分布不均是高壓硅堆實(shí)際應(yīng)用中需要解決的重要問題，而硅堆電壓分布不均的現(xiàn)象在端部 最為突出。經(jīng)過對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的檢索發(fā)現(xiàn)，硅堆均壓一般采用強(qiáng)制均壓方式，其方法一般是在 硅...
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