技術(shù)編號(hào):6943632
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,涉及一種電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器的制造方法,尤其涉及一 種立體堆疊電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器制造方法,用于半導(dǎo)體器件的制造。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的多層堆疊是集成電路發(fā)展的必然趨勢(shì),多層堆疊的半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn) 的不僅僅是集成度的成倍上升,而且獲得了器件速度的提升,在合適的層數(shù)范圍內(nèi),器件的 成本也會(huì)得到顯著的降低,從而使半導(dǎo)體器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。相變存儲(chǔ)器、電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器等電阻轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器是當(dāng)今炙手可熱的下一代非易失 性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,具有廣闊的市場(chǎng)前景,電阻轉(zhuǎn)換存...
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