技術(shù)編號(hào)：6944947
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體管，特別涉及。 背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置已廣泛的應(yīng)用在各種電子裝置，例如電腦、手機(jī)等。半導(dǎo)體裝置包括形 成在半導(dǎo)體芯片上的集成電路，集成電路的形成方法包括在半導(dǎo)體芯片上沉積多種材料薄 膜并將之圖案化。集成電路包括場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor ;FET)，例如金 屬氧化物半導(dǎo)體(metal oxidesemiconductor ；M0S)晶體管。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的目標(biāo)之一是持續(xù)縮減場效應(yīng)晶體管的尺寸并提高其速度。為了達(dá)成 上...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。