技術(shù)編號(hào)：6945258
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及， 特別涉及具有包含缺陷集中區(qū)域的基板的氮化物類半導(dǎo)體元件、光學(xué)裝置和氮化物類半導(dǎo) 體元件的制造方法。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)中，提出了使用包含缺陷集中區(qū)域的氮化物類半導(dǎo)體基板的氮化物類半 導(dǎo)體元件。例如在日本特開2003-133649號(hào)公報(bào)中公開了這種氮化物類半導(dǎo)體元件。上述日本特開2003-133649號(hào)公報(bào)中，公開了一種錠(ingot)的制造方法，在通過(guò) 生長(zhǎng)形成氮化物類半導(dǎo)體基板時(shí)，使缺陷集中在規(guī)定區(qū)域中，使得該錠具有缺陷密度高的 缺陷集中區(qū)域；...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。