技術(shù)編號：6946468
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及電子器件和形成電子器件的工藝，尤其是涉及包括絕緣阱區(qū)的電子器 件和形成其的工藝。背景技術(shù)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(M0SFET)是一般類型的功率開關(guān)器件。M0SFET包括源 極區(qū)、漏極區(qū)、在源極區(qū)和漏極區(qū)之間延伸的溝道區(qū)、以及鄰近溝道區(qū)設(shè)置的柵極結(jié)構(gòu)。柵 極結(jié)構(gòu)包括柵電極層，該柵電極層鄰近溝道區(qū)布置，并由一薄介質(zhì)層而與溝道區(qū)間隔開。當(dāng)M0SFET在接通狀態(tài)中時，電壓施加到柵極結(jié)構(gòu)以在源極區(qū)和漏極區(qū)之間形成 傳導(dǎo)溝道區(qū)，這允許電流流經(jīng)該器件。在截止?fàn)?..
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