技術(shù)編號(hào)：6946501
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及材料制備領(lǐng)域，具體涉及一種能用于近紅外光電器件的PbSe多晶薄 膜的制備技術(shù)。背景技術(shù)PbSe是一種具有立方巖鹽結(jié)構(gòu)的窄禁帶半導(dǎo)體材料，室溫下體材料的帶隙寬度為 0. 28eV。它是一種重要的紅外本征光電導(dǎo)材料，是制作紅外光電導(dǎo)探測(cè)器的重要材料之一。 用此材料制作的探測(cè)器具有量子效率高、靈敏度高、器件噪聲低等優(yōu)點(diǎn)。PbSe還具有高介電 常數(shù)、高載流子遷移率、窄帶隙正向溫度系數(shù)(dEg/dT)等特點(diǎn)，在太陽(yáng)能電池、熱電材料、發(fā) 光二極管、激光器等方...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。