技術(shù)編號：6948471
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有通過離子注入而形成的絕緣區(qū)域的半導(dǎo)體裝置，特別涉及能夠不 使泄漏電流增大而防止在絕緣區(qū)域中發(fā)生破壞的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)歷來，作為具有場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置，已知具有如下結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體裝 置，即，在半導(dǎo)體襯底的上表面?zhèn)仍O(shè)置的摻雜區(qū)域上，設(shè)置有多個源極電極、多個柵極電極、 以及多個漏極電極，柵極焊盤和源極焊盤在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置在摻雜區(qū)域的一端側(cè)，漏極 焊盤在半導(dǎo)體襯底上夾著摻雜區(qū)域設(shè)置在與柵極焊盤的相反側(cè)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。在第一半導(dǎo)...
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