技術(shù)編號：6949706
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及一種。背景技術(shù)晶體管，尤其是“金屬-半導(dǎo)體-氧化物”場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，是集成電路最常見的元件之一。漏電電流是衡量晶體管性能的重要指標(biāo)。漏電電流越低意味著晶體管對電流的控制能力越強(qiáng)。采用淺摻雜技術(shù)(LDD)是目前在晶體管制造領(lǐng)域最常見的技術(shù)之一。該技術(shù)是采用與源/漏極相同的摻雜離子注入源/漏極與導(dǎo)電溝道之間的區(qū)域，形成的摻雜濃度小于源/漏極的摻雜濃度，形成所謂的淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)的作用是增大源極和漏極摻...
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