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技術(shù)編號：6949841

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本發(fā)明屬于超大規(guī)模集成電路，具體涉及一種利用標準CMOS工藝制備 非揮發(fā)性存儲器的方法。背景技術(shù)隨著集成電路技術(shù)節(jié)點不斷推進，基于傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的FLASH技術(shù)將面臨無法等 比縮小的技術(shù)挑戰(zhàn)?；贛IMWetal-Insulator-Metal)結(jié)構(gòu)的阻變存儲器(RRAM)由于其 結(jié)構(gòu)簡單、易于制備、尺寸小、集成度高、擦寫速度快和功耗低等優(yōu)點，具有取代傳統(tǒng)存儲器 的潛力，因而備受學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注。與傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的FLASH依靠電荷量來存儲信 息O和1不同...
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