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本發(fā)明涉及存儲器及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種。 背景技術(shù)相變存儲器(PCRAM，PhaseChange Random Access Memory)是一種新型的非易失性存儲器(non-volatile memory)，其主要原理是通過對相變材料施加電流，使其在非晶狀態(tài)與結(jié)晶狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，由于相變材料在上述兩種狀態(tài)時的電阻不同，從而實(shí)現(xiàn)了存儲狀態(tài)“0”和“ 1 ”的改變。典型的電流相變存儲器中使用的相變材料一般是硫族化合物，如鍺-銻-碲合金(GeSbTe...
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