技術(shù)編號：6951904
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造工藝，特別涉及。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，工藝上必須考慮熱效應(yīng)，即溫度對于半導(dǎo)體器件電學(xué)性能的影響。因此，現(xiàn)在半導(dǎo)體制造工藝中使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法代替爐管氧化法來形成半導(dǎo)體器件中的各種膜層結(jié)構(gòu)。化學(xué)氣相沉積是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。其優(yōu)點(diǎn)是可以在較低溫度下實現(xiàn)大面積薄膜的生長。但是，與爐管氧化法相比，化學(xué)氣相沉積法具有其缺點(diǎn)，即化...
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