技術(shù)編號(hào):6951938
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,更具體地,本發(fā)明涉及MOS晶體管及其柵介電層的制作方法。背景技術(shù)隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展,MOS晶體管的特征尺寸也越來越小。在MOS 晶體管特征尺寸不斷縮小情況下,為了降低MOS晶體管柵極的寄生電容,提高器件速度,高 K柵介電層與金屬柵極(High K Metal Gate, HKMG)的柵極疊層結(jié)構(gòu)被引入到MOS晶體管中。為避免金屬柵極的柵極金屬材料對(duì)晶體管其他結(jié)構(gòu)的影響,所述金屬柵極與高K 柵介電層的柵極疊層結(jié)構(gòu)通常采用柵極替代...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。