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Mos晶體管及其柵介電層的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6951938

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,更具體地,本發(fā)明涉及MOS晶體管及其柵介電層的制作方法。背景技術(shù)隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展,MOS晶體管的特征尺寸也越來越小。在MOS 晶體管特征尺寸不斷縮小情況下,為了降低MOS晶體管柵極的寄生電容,提高器件速度,高 K柵介電層與金屬柵極(High K Metal Gate, HKMG)的柵極疊層結(jié)構(gòu)被引入到MOS晶體管中。為避免金屬柵極的柵極金屬材料對(duì)晶體管其他結(jié)構(gòu)的影響,所述金屬柵極與高K 柵介電層的柵極疊層結(jié)構(gòu)通常采用柵極替代...
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