技術(shù)編號(hào):6951970
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。這里說(shuō)明的實(shí)施例一般而言涉及。 背景技術(shù)為了改善包括氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光器件的發(fā)光效率,使用了量子阱結(jié)構(gòu),其中 InGaN阱層被夾在勢(shì)壘層之間,勢(shì)壘層的帶隙能量大于阱層的帶隙能量。對(duì)于這樣的發(fā)光器件,需要在盡可能低的溫度下生長(zhǎng)晶體以有利于在阱層的形成中并入^。然而,隨著晶體生長(zhǎng)溫度變低,結(jié)晶質(zhì)量變得劣化。因此,為了提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的效率,形成高質(zhì)量晶體并同時(shí)確保^的并入是重要的。在JP-A 2004-297098(特開(kāi))中,描述了一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件,...
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