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技術(shù)編號(hào)：6952869

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本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及高密度晶胞的溝槽式MOSFET及其制 造方法。背景技術(shù)MOSFET (Power Metal Oxide Semiconductor Field-effect Transistor, ^ ^ 晶體管)以其開(kāi)關(guān)速度快、頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、溫度特性好、無(wú)二次擊穿 問(wèn)題等優(yōu)點(diǎn)，大量應(yīng)用在4C (即Communication, Computer, Consumer, Car 通信，電腦，消 費(fèi)電器，汽車(chē))等領(lǐng)...
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