技術(shù)編號:6952882
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。技術(shù)背景半導(dǎo)體器件中,尤以使用屬于具有MOS (Metal Oxide Semiconductor,金屬氧化物 半導(dǎo)體)構(gòu)造的柵極電極的場效應(yīng)晶體管的MOS晶體管的集成電路,已邁入高集成化的一 途。隨著此高集成化,其中所使用的MOS晶體管,其微細(xì)化已進(jìn)展至納米(nano)領(lǐng)域。在 MOS晶體管構(gòu)成屬于數(shù)字(digital)電路的基本電路之一的反向器(inverter)電路(NOT 電路)時,若該MOS晶體管的微細(xì)化進(jìn)展,泄漏(le...
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