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技術(shù)編號(hào)：6952975

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本發(fā)明屬于InP襯底上的半導(dǎo)體材料與器件及其制備領(lǐng)域，特別涉及一種包含贗 襯底的InP基應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)及制備方法。背景技術(shù)InP襯底上的半導(dǎo)體材料與器件已經(jīng)發(fā)展了數(shù)十年，材料生長(zhǎng)和器件制備工藝 較為成熟，特別是與InP襯底晶格匹配的材料體系具有設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)較簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，得到 了很好的發(fā)展。例如，可以與InP襯底匹配的以Ina 52A10.48As或InGaAsP為量子勢(shì)壘、 Ino.53Ga0 4 As 為量子,I^t1 的 In0 52A10 48As/I...
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