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技術(shù)編號：6952977

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種超級結(jié)半導(dǎo)體器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及所述超級結(jié)半導(dǎo)體器件的制作方法。背景技術(shù)超級結(jié)MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)采用新的耐壓層結(jié)構(gòu)，利用一系列交替排列的P型和N型半導(dǎo)體薄層(或稱半導(dǎo)體柱層)，在截止?fàn)顟B(tài)且較低電壓下就將 P型區(qū)和N型區(qū)耗盡，實現(xiàn)電荷相互補(bǔ)償，使P型區(qū)和N型區(qū)在高摻雜濃度下能實現(xiàn)高的擊穿電壓，從而同時獲得低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓，打破傳統(tǒng)功率MOSFET理論極限。同已有的DMO...
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