技術(shù)編號：6953583
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實施例一般是關(guān)于半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)和相關(guān)的制作方法，且本發(fā)明的實施 例尤其是關(guān)于用于形成具有導(dǎo)電鰭部的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，該導(dǎo)電鰭部與塊體 半導(dǎo)體襯底電性隔離。背景技術(shù)例如金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的晶體管為大部分半導(dǎo)體器件的核 心建構(gòu)區(qū)塊。一些半導(dǎo)體器件(例如高性能的處理器器件)可包含數(shù)百萬個晶體管。對于 這種器件而言，降低晶體管尺寸、并因而增加晶體管密度，一直都是半導(dǎo)體制造工業(yè)的高優(yōu) 先項目。鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)...
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