技術(shù)編號(hào)：6954087
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路生產(chǎn)制造方法，具體涉及一種MOSFET閘極膜結(jié)構(gòu)及其圖形制造技術(shù)。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體集成電路芯片中器件的集成度越來越高，其中常用的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的尺寸將進(jìn)一步縮小，且要求更大的工作狀態(tài)下的驅(qū)動(dòng)電流。為縮小器件尺寸，節(jié)約晶圓表面空間，業(yè)界常常采用所謂的“自對(duì)準(zhǔn)通孔”(SAC)的方法； 而對(duì)提高驅(qū)動(dòng)電流，尤其是P型溝道的MOS管，則需要用到表面溝道(surface channel)器件。但是，當(dāng)二者結(jié)合起來的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。