技術編號：6954202
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種形成側(cè)墻以及PMOS晶體管的方法。 背景技術眾所周知，機械應力可以改變硅材料的能隙和載流子遷移率，最近，機械應力在影響MOSFET性能方面扮演了越來越重要的角色。如果可以適當控制應力，提高了載流子 (η-溝道晶體管中的電子，ρ-溝道晶體管中的空穴)遷移率，就提高了驅(qū)動電流，因而應力可以極大地提高晶體管的性能。應力襯墊技術在NMOS晶體管上形成張應力襯墊層(tensile stress liner)，在 PMOS晶體管上形成壓應...
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