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技術(shù)編號(hào)：6955543

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件，涉及高壓BCD器件的制備方法，尤其是耐壓達(dá) 700V以上的B⑶功率器件的制備方法。背景技術(shù)專業(yè)術(shù)語(yǔ)說明DNW摻N型雜質(zhì)的深阱；Ptop P型摻雜區(qū)；Nwell 摻N型雜質(zhì)的阱；Pwell 摻 P型雜質(zhì)的阱；Active 有源區(qū)；Poly 多晶硅區(qū)；NSD N型重?fù)诫s區(qū)；PSD P型重?fù)诫s區(qū)； Contact 歐姆接觸區(qū)；Metal 金屬區(qū)；Pad 壓焊點(diǎn)區(qū)。B⑶工藝是一種能夠在同一芯片上制作BJT、CM0S和DMOS器件的單片集成工藝...
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