技術(shù)編號:6955573
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于一種雙向硅控整流器(Dual-directional Silicon Controlled Rectifier,DSCR),尤其是一種具有摻雜區(qū)域(doped region)的雙向硅控整流器。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, M0SFET)的尺寸亦日漸微小化,其尺寸已降至次微米(submicron meter)、甚至深...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。