技術(shù)編號：6957835
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶硅薄膜太陽能電池領(lǐng)域，尤其是一種肖特基結(jié)的單面電極多晶硅薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)及其制法。背景技術(shù)太陽能作為一種清潔的、沒有任何污染的能源，以太陽能發(fā)電做為動(dòng)力供應(yīng)主要來源之一的可能性，已日益引起人們關(guān)注。而解決這個(gè)技術(shù)的關(guān)鍵在于太陽能電池生產(chǎn)成本的降低和轉(zhuǎn)化效率的提高。光伏行業(yè)的相關(guān)技術(shù)人員為了提高太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率，在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上做了大量的技術(shù)創(chuàng)新及改進(jìn)。如一種結(jié)構(gòu)包括表層、緩沖層、含至少一個(gè)P-N結(jié)的光吸收區(qū)、過渡層、P或N型區(qū)的集電柵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。