技術(shù)編號(hào):6958227
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子,尤其涉及一種離地剝離的方法和TFT陣列基板的制作方法。背景技術(shù)離地剝離(Lift Off)技術(shù)是用光刻膠(Photoresist,PR)掩膜進(jìn)行圖形制備的關(guān)鍵技術(shù)。Lift off技術(shù)是指,在光刻膠的剝離過(guò)程中,將光刻膠和光刻膠上所沉積薄膜一起剝離而不撕裂或損壞基板上的薄膜圖形的剝離技術(shù),在半導(dǎo)體微電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。以 TFT LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。