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技術(shù)編號：6958389

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一種防范STI-CMP劃傷的方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，尤其涉及一種改進的STI-CMP (淺溝槽隔離平坦化)方法。背景技術(shù)STI (淺溝槽隔離)目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，并且已取代LOCOS (硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進行二氧化硅沉積、最后用 CMP (化學(xué)機械拋光)技術(shù)進行表面平坦化。CMP (化學(xué)機械拋光)工藝由IBM于1984年引入集成電路制造工業(yè)，并首先用在后道工藝的IMD(金屬間絕緣介質(zhì))的平坦化，然后...
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