技術(shù)編號：6960926
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種NMOS晶體管的形成方法。 背景技術(shù)眾所周知，機(jī)械應(yīng)力可以改變硅材料的能隙和載流子遷移率，最近，機(jī)械應(yīng)力在影響MOSFET性能方面扮演了越來越重要的角色。如果可以適當(dāng)控制應(yīng)力，提高了載流子 (η-溝道晶體管中的電子，ρ-溝道晶體管中的空穴)遷移率，就提高了驅(qū)動電流，因而應(yīng)力可以極大地提高晶體管的性能。現(xiàn)有技術(shù)采用應(yīng)力襯墊技術(shù)以改善晶體管的機(jī)械應(yīng)力性能。如在NMOS晶體管上形成張應(yīng)力襯墊層(tensile stress ...
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