技術(shù)編號(hào)：6961113
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別地涉及一種具有源區(qū)及漏區(qū)夾持形成為柵格狀 的柵電極彼此相鄰地配置的晶體管的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)已知過去為了提高每單位面積的柵寬度(GW)的效率，而將柵電極形成為柵格狀 的MOS晶體管(例如，參照非專利文獻(xiàn)1)。將此MOS晶體管稱為柵格狀(方格花紋)晶體管。圖1示出現(xiàn)有的柵格狀晶體管1的示意性平面結(jié)構(gòu)。柵格狀晶體管1包括形成 為柵格狀的柵電極2、和被柵電極2包圍的擴(kuò)散區(qū)。為了提高電路的精細(xì)密度，擴(kuò)散區(qū)采用 正方形的形狀。擴(kuò)散區(qū)構(gòu)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。