技術(shù)編號：6961229
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。示例實施例涉及。更具體地講，示例實施例涉及表現(xiàn)出高性能的高度集成的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CM0Q。背景技術(shù)對形成具有高性能的高度集成的晶體管已經(jīng)開展了各種研究。例如，已經(jīng)研究了將應(yīng)力施加到晶體管溝道區(qū)域上的應(yīng)力控制工藝。此外，也已經(jīng)廣泛開展了對形成晶體管的柵極絕緣層和柵電極的各種材料的研究。已經(jīng)使用具有高介電性的材料代替氧化硅層來形成柵極絕緣層，并且金屬化合物已經(jīng)取代多晶硅來形成柵電極。此外，也已經(jīng)研究了用于形成晶體管的基板的替代材料。然而，由于形成在一個...
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