技術編號：6961242
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的實施例針對垂直腔(cavity)激光器，更具體來說，針對在面內 (in-plane)基于波導光子集成電路中使用的混合硅/III-V垂直腔激光器結構。背景技術雖然硅是引導光線的優(yōu)良材料并且能以高數據速率檢測和調制光線，但它仍然不 能有效地生成大量的光線。硅由于稱作間接帶隙(bandgap)的基本限制而可能是低效發(fā)光 體。間接帶隙阻止硅中原子在施加電荷時發(fā)射大量光子。硅反而趨向于發(fā)射熱量。在硅材料上生成光線的一種方式是所謂的混合硅短暫(evanesce...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。