技術(shù)編號(hào)：6965903
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種功率模塊，特別涉及一種由單管功率管集成的三相全橋逆變 模塊結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)目前，通常使用的功率模塊結(jié)構(gòu)主要是在一塊陶瓷表面，以芯片為單位集成。這種 功率模塊加工難度較大，成本較高，且體積大，導(dǎo)致安裝不方便。目前，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)應(yīng)用廣泛。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種易加工、成本 低、體積小的由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問題，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。