技術(shù)編號：6970116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體薄膜以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。特別是關(guān)于可良好地形成基本呈單晶體狀態(tài)的硅膜的半導(dǎo)體薄膜的形成方法的改良。在這些文獻(xiàn)中，公布了以下的內(nèi)容在基片上的絕緣膜開孔，在這個絕緣膜上以及孔內(nèi)形成非晶體硅膜以后，在這個非晶體硅膜上照射激光，使所述的孔的底部的非晶體硅膜保持非熔化狀態(tài)，而使其他部分的非晶體硅膜成為熔化狀態(tài)，由此使被保持為非熔化狀態(tài)的非結(jié)晶硅作為結(jié)晶核心使之產(chǎn)生結(jié)晶成長，形成基本單結(jié)晶狀態(tài)的硅膜。在所述兩文獻(xiàn)形成的方法中，孔的剖面如果不充分地...
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