技術(shù)編號(hào)：6977845
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于形成硼-碳-氮膜的方法和設(shè)備、絕緣膜以及半導(dǎo)體集成電路。背景技術(shù) 通常，在半導(dǎo)體集成電路中，通過(guò)等離子體CVD(化學(xué)汽相淀積)法形成的SiO2或SiN膜已經(jīng)用做布線的層間絕緣薄膜或保護(hù)膜。然而，隨著晶體管的集成度的增加，布線間(inter-wiring)電容導(dǎo)致布線延遲，并且作為妨礙加速元件的開(kāi)關(guān)速度的因素而成為問(wèn)題。為了解決這個(gè)問(wèn)題，需要減小布線間絕緣薄膜的介電常數(shù)，并且希望具有新介電常數(shù)的材料作為層間絕緣膜。在這種情況下，有機(jī)材料和多孔材...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。