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技術(shù)編號：6979053

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本發(fā)明涉及使用絕緣體上外延硅(Silicon-on-Insulator，SOI)技術(shù)制作半導(dǎo)體器件。更具體而言，本發(fā)明涉及使用SOI埋入氧(Buried Oxide，BOX)層作為電子器件及電路的整體元件。背景技術(shù) 雖然通常制作費用較高，絕緣體上外延硅(Silicon-on-Insulator，SOI)技術(shù)已呈現(xiàn)為改進(jìn)如鎖定和速度等特征的一種電子制作技術(shù)。術(shù)語絕緣體上外延硅(SOI)通常描述在絕緣層或襯底上形成的單晶Si層里制作器件的結(jié)構(gòu)。圖11A及11B...
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