技術(shù)編號(hào):6980629
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到材料表面處理的綜合方法,特別涉及對(duì)用于制造微電子和/或光電子產(chǎn)品的元器件的底材進(jìn)行處理。更準(zhǔn)確地說(shuō),本發(fā)明涉及到一種降低半導(dǎo)體材料晶片自由表面粗糙度的方法,該方法包括一個(gè)退火操作以使所述自由表面平滑。術(shù)語(yǔ)“自由表面”意指晶片暴露于外部環(huán)境的表面(以區(qū)別于與另一個(gè)晶片或其它元器件相接觸的界面)。正如下面所述,本發(fā)明可以很好地與法國(guó)專利NO.2,681,472中描述的半導(dǎo)體材料類型的薄膜或薄層的制備方法結(jié)合使用,但并非僅限于此。背景技術(shù) 一種實(shí)現(xiàn)上...
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