技術編號：6980630
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明總體而言涉及靜電放電(ESD)保護電路領域，更具體而言，涉及對一種集成電路(IC)的多指式MOS保護電路的改進。背景技術 在CMOS技術中，魯棒的NMOS及其它ESD保護對于獲得高度的ESD魯棒性而言甚為重要。在選擇采用硅化物局部阻斷的工藝中，引入了鎮(zhèn)流電阻來保證等電流分布及一致的多指觸發(fā)。為獲得具有高故障臨限值及良好箝位能力的足夠高的ESD保護電平，必須提供足夠大的裝置寬度。因此，目前已構建了若干多指式MOS結構來進行ESD保護。此外，由于焊墊間距...
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