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與半導體裝置之射極接點形成接觸點的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6983601

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本發(fā)明關(guān)于一半導體裝置根據(jù)權(quán)利要求第1項以及第10項且關(guān)于一種方法根據(jù)權(quán)利要求第5項以及第12項用以制造一半導體裝置。附圖說明圖16顯示一傳統(tǒng)半導體裝置,其將被用以證明先前技藝的問題以其本發(fā)明系被影響。半導體裝置包含一(垂直的)雙極晶體管10,其,在一已知的方式中,具有一基極接觸點12,一射極接觸點14以及一集極接觸點16。雙極晶體管10可能為一npn晶體管或者一pnp晶體管,舉例來說,其形成半導體裝置之一無線頻率電路的部分。此外,一CMOS電路,在最簡單...
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